东京热加勒比无码少妇,精品无码久久久久久免费,欧美精品黄网站在线播放

判斷題預(yù)淀積擴(kuò)散是為了提供足夠的雜質(zhì)總量，而再分布擴(kuò)散是為了達(dá)到需要的擴(kuò)散深度并同時(shí)在硅的表面獲得一定厚度的氧化層。

1.判斷題二氧化硅膜能有效的對(duì)擴(kuò)散雜質(zhì)起掩蔽作用的基本條件是雜質(zhì)在硅中的擴(kuò)散系數(shù)大于在二氧化硅中的擴(kuò)散系數(shù)。

2.判斷題半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中所制備的二氧化硅薄膜屬于無定形二氧化硅。

3.判斷題在常規(guī)熱氧化工藝中干氧氧化的速度最快。

4.判斷題溫度對(duì)氧化速率常數(shù)A、B都有影響，壓強(qiáng)只影響氧化速率常數(shù)B。

5.判斷題硅熱氧化形成SiO₂體積將增加約1倍。