A、材料晶粒粗大
B、聲速不均勻
C、聲阻抗變化大
D、以上全部
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A、保持靈敏度不變
B、適當(dāng)提高靈敏度
C、增加大折射角探頭探測(cè)
D、以上b和c
A、底波計(jì)算法
B、試塊法
C、通用AVG曲線法
D、以上都可以
A、斜平行掃查
B、串列掃查
C、雙晶斜探頭前后掃查
D、交叉掃查
A、探傷速度較快
B、在焦線長(zhǎng)度內(nèi)回波幅度隨缺陷長(zhǎng)度增大而提高
C、聚焦方法一般采用圓柱面透鏡或瓦片形晶片
D、以上全部
A、對(duì)短缺陷有較高探測(cè)靈敏度
B、聚焦方法一般采用圓柱面聲透鏡
C、缺陷長(zhǎng)度達(dá)到一定尺寸后，回波幅度不隨長(zhǎng)度而變化
D、探傷速度較慢
最新試題
對(duì)含有內(nèi)穿過式線圈的薄壁管，影響其阻抗變化的因素有（）
廢舊藥液應(yīng)采用專用容器收集，定期送指定的機(jī)構(gòu)處理。
X光檢驗(yàn)組按復(fù)查清單組織復(fù)查，并出具X光底片復(fù)查報(bào)告，復(fù)查無遺留問題方可進(jìn)行試壓。
X射線檢測(cè)圖像直觀、缺陷定性準(zhǔn)確，因此焊接缺陷無論大小和延伸方向都可以選擇X射線檢測(cè)。
一次完整的兩面多層補(bǔ)焊，當(dāng)正面打底層質(zhì)量進(jìn)行過一次X射線檢測(cè)，若反面還需打底，則無需X射線檢測(cè)。
下面列出的確定透照布置應(yīng)考慮的基本內(nèi)容中，錯(cuò)誤的是（）。
提出有效磁導(dǎo)率的是下列哪位科學(xué)家（）
底片圖像質(zhì)量參數(shù)中的顆粒度與膠片的粒度是同一概念。
像質(zhì)計(jì)放置次數(shù)一般應(yīng)與透照次數(shù)相同，相同部位、相同的透照條件連續(xù)透照時(shí)可適當(dāng)減少放置次數(shù)．但不少于透照次數(shù)的三分之一。
補(bǔ)焊次數(shù)的界定由工藝、檢驗(yàn)負(fù)責(zé)，對(duì)兩個(gè)補(bǔ)焊區(qū)交界部位補(bǔ)焊次數(shù)的界定，需要通過底片觀察提供幫助時(shí)，X光室應(yīng)予以配合。