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單項(xiàng)選擇題光刻工藝是利用感光膠感光后抗腐蝕的特性在半導(dǎo)體晶片表面的掩膜層上的工藝（）

A.刻制圖形
B.繪制圖形
C.制作圖形

1.單項(xiàng)選擇題介質(zhì)隔離是以絕緣性能良好的電介質(zhì)作為“隔離墻”來(lái)實(shí)現(xiàn)電路中各元器件間彼此電絕緣的一種隔離方法。常用的電介質(zhì)是（）層。

A.多晶硅
B.氮化硅
C.二氧化硅

2.單項(xiàng)選擇題二氧化硅在擴(kuò)散時(shí)能對(duì)雜質(zhì)起掩蔽作用進(jìn)行（）擴(kuò)散。

A.預(yù)
B.再
C.選擇

3.單項(xiàng)選擇題Ⅰ號(hào)液是（）過(guò)氧化氫清洗液.

A.堿性
B.酸性
C.中性

4.單項(xiàng)選擇題在溫度相同的情況下，制備相同厚度的氧化層，分別用干氧，濕氧和水汽氧化，哪個(gè)需要的時(shí)間最長(zhǎng)？（）

A、干氧
B、濕氧
C、水汽氧化
D、不能確定哪個(gè)使用的時(shí)間長(zhǎng)

5.單項(xiàng)選擇題恒定表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱為什么分布？（）

A.高斯函數(shù)
B.余誤差函數(shù)
C.指數(shù)函數(shù)
D.線性函數(shù)