單項選擇題在溫度相同的情況下,制備相同厚度的氧化層,分別用干氧,濕氧和水汽氧化,哪個需要的時間最長?()
A、干氧
B、濕氧
C、水汽氧化
D、不能確定哪個使用的時間長
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1.單項選擇題恒定表面源擴散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱為什么分布?()
A.高斯函數(shù)
B.余誤差函數(shù)
C.指數(shù)函數(shù)
D.線性函數(shù)
2.單項選擇題從離子源引出的是:()
A、原子束
B、分子束
C、中子束
D、離子束
3.單項選擇題離子注入層的雜質(zhì)濃度主要取決于離子注入的()。
A.能量
B.劑量
4.單項選擇題離子注入層的深度主要取決于離子注入的()。
A.能量
B.劑量
5.多項選擇題硅外延片的應(yīng)用包括()。
A.二極管和三極管
B.電力電子器件
C.大規(guī)模集成電路
D.超大規(guī)模集成電路
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光刻工藝要求掩膜版圖形黑白區(qū)域之間的反差要低。()
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離子源是產(chǎn)生離子的裝置。()
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