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填空題在擴散之前在硅表面先沉積一層雜質(zhì)，在整個過程中這層雜質(zhì)作為擴散的雜質(zhì)源，不再有新的雜質(zhì)補充，這種擴散方式稱為：（）

1.單項選擇題人們規(guī)定：（）電壓為安全電壓.

A.36伏以下
B.50伏以下
C.24伏以下

2.單項選擇題單相3線插座接線有嚴格規(guī)定（）

A.“左零”“右火”
B.“左火”“右零”

3.多項選擇題按蒸發(fā)源加熱方法的不同，真空蒸發(fā)工藝可分為：（）蒸發(fā)、（）蒸發(fā)、離子束蒸發(fā)等。

A.電阻加熱
B.電子束
C.蒸氣原子

4.單項選擇題將預先制好的掩膜直接和涂有光致抗蝕劑的晶片表面接觸，再用紫外光照射來進行曝光的方法，稱為（）曝光。

A.接觸
B.接近式
C.投影

5.單項選擇題光刻工藝是利用感光膠感光后抗腐蝕的特性在半導體晶片表面的掩膜層上的工藝（）

A.刻制圖形
B.繪制圖形
C.制作圖形