填空題在半導(dǎo)體工藝中，硫酸常用于去除（）和配制（）等。
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退火處理能使金絲和硅鋁絲的抗斷強(qiáng)度下降。（）
題型：判斷題
場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵源電壓變化可以控制漏電流變化。（）
題型：判斷題
位錯(cuò)就是由范性形變?cè)斐傻?，它可以使晶體內(nèi)的一原子或離子脫離規(guī)則的周期排列而位移一段距離，位移區(qū)與非位移區(qū)交界處必有原子的錯(cuò)位，這樣產(chǎn)生線缺陷稱為位錯(cuò)。（）
題型：判斷題
值稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)，是晶體管的一個(gè)重要參數(shù)，也是檢驗(yàn)晶體管經(jīng)過硼、砷摻雜后的兩個(gè)pn結(jié)質(zhì)量?jī)?yōu)劣的重要標(biāo)志。（）
題型：判斷題
可靠性篩選可以剔除早期失效的產(chǎn)品。（）
題型：判斷題
光刻工藝要求掩膜版圖形黑白區(qū)域之間的反差要低。（）
題型：判斷題
液相外延的原理是飽和溶液隨著溫度的降低產(chǎn)生過飽和結(jié)晶。（）
題型：判斷題
硅MOSFET和硅JFET結(jié)構(gòu)相同。（）
題型：判斷題
點(diǎn)缺陷，如空位、間隙原子、反位缺陷、替位缺陷，和由它們構(gòu)成的復(fù)合體。（）
題型：判斷題
表面鈍化工藝是在半導(dǎo)體芯片表面復(fù)蓋一層保護(hù)膜，使器件的表面與周圍氣氛隔離。（）
題型：判斷題