問答題
以P2O2為例說明SiO2的掩蔽過程。
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
最新試題
定義刻蝕速率并描述它的計(jì)算公式。為什么希望有高的刻蝕速率？
題型：問答題
解釋發(fā)生刻蝕反應(yīng)的化學(xué)機(jī)理和物理機(jī)理。
題型：問答題
刻蝕工藝有哪兩種類型？簡單描述各類刻蝕工藝。
題型：問答題
解釋掃描投影光刻機(jī)是怎樣工作的？掃描投影光刻機(jī)努力解決什么問題？
題型：問答題
例出光刻的8個步驟，并對每一步做出簡要解釋。
題型：問答題
干法刻蝕的目的是什么？例舉干法刻蝕同濕法刻蝕相比具有的優(yōu)點(diǎn)。干法刻蝕的不足之處是什么？
題型：問答題
敘述氮化硅的濕法化學(xué)去除工藝。
題型：問答題
例舉并討論引入銅金屬化的五大優(yōu)點(diǎn)。
題型：問答題
例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴(kuò)散的三個步驟。
題型：問答題
例舉雙大馬士革金屬化過程的10個步驟。
題型：問答題