A.電路組成
B.電子元件
C.檢查工具
D.電流大小
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A.兩個(gè)或兩組線圈
B.三個(gè)或三組線圈
C.一個(gè)或一組線圈
D.四個(gè)或四組線圈
A.兩個(gè)線圈
B.多個(gè)線圈
C.單個(gè)線圈
D.三個(gè)線圈
A.渴流檢測(cè)
B.紅外線檢測(cè)
C.微波檢測(cè)
D.橫波斜檢測(cè)
A.電流
B.磁場(chǎng)
C.滿流
D.電磁
A.絕對(duì)大小
B.相等大小
C.相對(duì)大小
D.相同大小
最新試題
用于測(cè)量黑光強(qiáng)度的現(xiàn)代黑光輻射照度計(jì)，其探頭（傳感器）的光敏組件的前面有（），只適用于測(cè)量黑光。
渦流檢測(cè)線圈是在被檢測(cè)導(dǎo)電材料或零件表面及近表面激勵(lì)產(chǎn)生（）
缺陷檢測(cè)即通常所說(shuō)的渦流探傷主要影響因素包括（）、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。
對(duì)于接觸法只須將能使缺陷落在其遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)內(nèi)的縱波直探頭在試件表面移動(dòng)，即可獲得缺陷的（）所在的位置，從而定出缺陷的平面位置。
直接射向缺陷的波就是（）
渦流檢測(cè)中的對(duì)比試樣的（）和材質(zhì)相對(duì)被檢測(cè)產(chǎn)品必須具有代表性。
在聲束垂直試件表面時(shí)，所獲得的（）反射波高可能并不是可獲得的最大反射波高。
采用以（）為橫坐標(biāo)，以平底孔直徑標(biāo)注各當(dāng)量曲線作成實(shí)用AVG曲線。
各類(lèi)渦流檢測(cè)儀器的工作原理和（）是相同的。
各類(lèi)渦流檢測(cè)儀器的（）和結(jié)構(gòu)各不相同。