三級(jí)放大電路如圖所示。設(shè)晶體管V1~ V3的β=49,UBE(on)=0.7V,rce=∞,rbb=0,D1和D2的直流壓降為0.7V。已知靜態(tài)IEQ3=3mA。各電容對(duì)交流信號(hào)可視作短路。
(1)試求各管的靜態(tài)集電極電流ICQ。
(2)計(jì)算電壓放大倍數(shù),輸入電阻Ri和輸出電阻Ro。
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假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū),若uDS繼續(xù)增大時(shí),溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動(dòng)。
?10進(jìn)制計(jì)數(shù)器模塊在數(shù)字鐘系統(tǒng)中可作為以下哪些模塊的子模塊?()
?6位7段數(shù)碼管動(dòng)態(tài)顯示模塊如圖,要求人眼看到所有數(shù)碼管同時(shí)顯示各自對(duì)應(yīng)的數(shù)字,控制數(shù)碼管位選信號(hào)的動(dòng)態(tài)掃描時(shí)鐘信號(hào)頻率約為多少?()
一塊通用面包板,公共條是三?四?三分段連通型,那么這塊板上最多有()個(gè)插孔在內(nèi)部是連通在一起的。
?verilog語(yǔ)法中,間隔符號(hào)主要包括()。
I=0.5mA,Vt=1.5V,k′n(W/L)=1mA/V2,VA足夠大。輸入輸出信號(hào)均通過(guò)電容耦合進(jìn)行傳輸(注意圖中未畫(huà)出電容),要實(shí)現(xiàn)增益為15倍的放大電路,則RD=()kΩ。?
?MOSFET源極漏極間的長(zhǎng)度L越大,溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)越明顯。???
?CS、CG和CD三種組態(tài)中,最適合做電壓放大器的還是CS放大器。
在下圖中如果輸入輸出均有電容耦合,則將RG的阻值由10MΩ替換為1MΩ時(shí),柵極直流電壓將會(huì)(),漏極直流電流將會(huì)(),輸入電阻將會(huì)()。
現(xiàn)在定義了一個(gè)1位的加法器addbit(ci,a,b,co,sum),模塊的結(jié)果用表達(dá)式表示為{co,sub}=a+b+ci,其中a,b為兩個(gè)加數(shù),ci為來(lái)自低位的進(jìn)位,sum為和,co為向高位的進(jìn)位,如果以此1位加法器構(gòu)建四位加法器,同時(shí)定義頂層模塊中的端口信號(hào)和中間變量的定義:下面通過(guò)層次調(diào)用的方式進(jìn)行邏輯實(shí)現(xiàn)中的表達(dá)式正確的是()。