A.在擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)中，只有注入的少子存在很大的濃度梯度，因此擴(kuò)散電流主要是由少子貢獻(xiàn)。
B.非晶硅對(duì)可見(jiàn)光譜的吸收很強(qiáng)，是晶硅的500倍，整個(gè)太陽(yáng)光譜中的吸收系數(shù)也為單晶硅的40倍，因此非晶硅電池可做的很薄。
C.多晶硅和非晶硅電池都是由pn結(jié)構(gòu)成的，因此它們的基本結(jié)構(gòu)是相同的。
D.與晶體硅電池相比，非晶硅電池中存在光誘導(dǎo)退化效應(yīng)（S-W效應(yīng)），但其光電轉(zhuǎn)化效率隨溫度升高下降較慢。
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A.梳狀電極→減反膜→n型硅→p型硅→反電極
B.梳狀電極→TCO→p型硅→i型硅→n型硅→SS
C.梳狀電極→TCO→n型硅→p型硅→i型硅→導(dǎo)電玻璃
D.梳狀電極→TCO→p型硅→n型硅→i型硅→SS
A.表面處理→制作絨面→擴(kuò)散制結(jié)→制作電極→制作減反射膜
B.表面處理→擴(kuò)散制結(jié)→制作絨面→制作減反射膜→制作電極
C.表面處理→制作絨面→擴(kuò)散制結(jié)→制作減反射膜→制作電極
D.表面處理→制作減反射膜→制作絨面→擴(kuò)散制結(jié)→制作電極
A.隨著溫度的升高，短路電流密度升高，開(kāi)路電壓下降，但光電轉(zhuǎn)換效率下降。
B.溫度對(duì)開(kāi)路電壓的影響明顯大于對(duì)短路電流的影響。
C.光照強(qiáng)度對(duì)短路電流的影響明顯大于對(duì)開(kāi)路電壓的影響。
D.與晶硅太陽(yáng)能電池相比，GaAs太陽(yáng)能電池的禁帶寬度較大，所以晶硅太陽(yáng)能電池具有更好的溫度特性。
A.p-n結(jié)兩邊摻雜濃度相差較大時(shí)，反向飽和電流密度主要由摻雜濃度較低的一側(cè)貢獻(xiàn)。
B.在一定溫度下，與Si材料相比，GaAs具有較小的有效態(tài)密度和較大的禁帶寬度，所以GaAs可獲得更低的反向飽和電流密度。
C.p-n結(jié)兩邊摻雜濃度越高，越有利于降低反向飽和電流密度。
D.與半導(dǎo)體中的載流子壽命、擴(kuò)散長(zhǎng)度、導(dǎo)帶價(jià)帶的有效態(tài)密度、摻雜濃度以及禁帶寬度有關(guān)。賦予他們恰當(dāng)值可以得到較大的VOC。
A.19.2℅
B.17.6℅
C.15.6℅
D.20.3℅
最新試題
太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)中，存儲(chǔ)光伏發(fā)電系統(tǒng)的電能，并在日照量不足、夜間以及應(yīng)急狀態(tài)時(shí)給負(fù)載供電的設(shè)備是（）。
光伏系統(tǒng)中使用的蓄電池有多種，在較大的系統(tǒng)中考慮到技術(shù)成熟性和成本等因素，通常使用（）
太陽(yáng)電池組件封裝使用最廣的黏結(jié)劑是（）
鉛酸蓄電池單體（格）的電動(dòng)勢(shì)為（）
（）是多晶硅生產(chǎn)過(guò)程中最大的有害副產(chǎn)物，它是一種具有強(qiáng)腐蝕性的有毒有害液體。
太陽(yáng)能電池方陣的輸出功率與組件的串、并聯(lián)數(shù)量有關(guān)，組件的串聯(lián)是為獲得需要的（）
光伏系統(tǒng)在沒(méi)有任何外來(lái)能源的情況下負(fù)載仍能正常工作的天數(shù)稱(chēng)為（）
（）的導(dǎo)帶和價(jià)帶重疊在一起，不存在禁帶，在一切條件下具有良好的導(dǎo)電性。
（）是覆蓋在電池正面的上蓋板材料，構(gòu)成太陽(yáng)能電池組件的最外層。
太陽(yáng)內(nèi)部最里層是（）。