單項(xiàng)選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗(yàn)方法(GB/T11969-2008)標(biāo)準(zhǔn)中蒸壓加氣混凝土力學(xué)性能試驗(yàn)的試件承壓面的不平度應(yīng)為每()mm不超過(guò)()mm。

A、100.0.1
B、100.1
C、100.0.5
D、100.0.01


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下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()

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雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()

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硅片拋光在原理上不可分為()

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影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類(lèi)和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;

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可用作硅片的研磨材料是()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。

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把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。

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鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()

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下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題