A、尺寸偏差
B、外觀質(zhì)量
C、強(qiáng)度等級
D、標(biāo)準(zhǔn)中技術(shù)要求的全部項(xiàng)目
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A、3.5~15萬
B、15萬
C、10萬
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C、GB/T11973-1997
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最新試題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
硅片拋光在原理上不可分為()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
PN結(jié)的基本特性是()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()