A、線性回歸方法
B、繪圖擬合方法
C、A、B兩種方法均可
D、A、B兩種方法均不可
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A、砂漿一次分別裝入三個試驗筒中,做三個試驗
B、采用振動臺振實時,振動應持續(xù)到表面出漿為止,不得過振
C、同一試驗,整個貫入過程應保持用同一貫入面積的測針
D、以貫入阻力28MPa時不能在試樣表面壓下痕印作為達到砼終凝狀態(tài)
A、砼初凝時間以貫入阻力為3.5MPa時的時間
B、砼初凝時間以貫入阻力為0時的時間
C、砼終凝時間以貫入儀全量程壓力不能貫入到規(guī)定深度的時間
D、砼終凝時間以貫入阻力為28MPa時的時間
A、水泥性能
B、外加劑性能
C、粗骨料最大粒徑
D、環(huán)境溫度
A、從水泥與水拌合接觸的瞬間開始計時
B、從砂漿試驗筒裝料搗實的瞬間開始計時
C、從拌合物攪拌完成的瞬間開始計時
D、從首次貫入施加阻力的同時開始計時
A、可以是手動的,也可以是自動的
B、砂漿試樣筒是一個桶高150mm的木制圓筒
C、主要由加荷裝置、測針、砂漿試樣筒和標準篩組成
D、加荷裝置最大可以施加2000kN的試驗壓力
最新試題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()