最新試題
本征光電導(dǎo)
硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級摻雜。
GaAs晶體是()結(jié)構(gòu)
光電導(dǎo)效應(yīng)
MBE只能用于III-V族化合物的生長。
光電探測器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。
提高光刻最小線寬可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實現(xiàn)。
XPS只能檢測元素種類,無法標(biāo)定元素含量。
半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。
猝滅劑