填空題刻蝕是用（）或（）有選擇地從硅片表面去除不需要材料的工藝過程，其基本目標(biāo)是（）。
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晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。
題型：多項選擇題
集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？
題型：問答題
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。
題型：問答題
材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。
題型：多項選擇題
試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。
題型：問答題
版圖設(shè)計的基本前提是什么？
題型：問答題
硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。
題型：多項選擇題
根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。
題型：問答題
什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。
題型：問答題
說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。
題型：問答題