判斷題西門子工藝生產(chǎn)的硅沒有按照希望的晶體順序排列原子。
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BiCMOS技術就是將()和()的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結構的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結構的高電流驅動能力。
題型:多項選擇題
版圖設計的基本前提是什么?
題型:問答題
硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的()材料等。
題型:多項選擇題
晶體管的名字取自于()和()兩詞。
題型:多項選擇題
在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),求M4的漏電流。
題型:問答題
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線,請畫出Id2的大致變化,并說明Id1和Id2有什么不同,并解釋不同的主要原因。
題型:問答題
編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么?
題型:問答題
在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。
題型:問答題
MOS器件存在哪些二階效應?
題型:問答題
根據(jù)圖,給出M2管的漏極電流表達式。
題型:問答題