判斷題傳統(tǒng)的0.25μm工藝以上的器件隔離方法是硅的局部氧化。
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最新試題
晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。
題型：多項選擇題
試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。
題型：問答題
材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。
題型：多項選擇題
BiCMOS技術就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結構的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結構的高電流驅(qū)動能力。
題型：多項選擇題
什么是MOS器件的體效應？
題型：問答題
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。
題型：問答題
20世紀上半葉對半導體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。
題型：多項選擇題
從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。
題型：多項選擇題
從設計的觀點出發(fā)，版圖設計規(guī)則應包括哪些部分？
題型：問答題
在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。
題型：問答題