判斷題在半導(dǎo)體生產(chǎn)中,濕法腐蝕是最主要的用來去除表面材料的刻蝕方法。
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根據(jù)圖,給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
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晶體管的名字取自于()和()兩詞。
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利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管,已知Cox=5×10-4pF/μm2,估算柵極電容。
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