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判斷題不正確的刻蝕將導致硅片報廢，給硅片制造公司帶來損失。

1.判斷題干法刻蝕是亞微米尺寸下刻蝕器件的最主要方法，濕法腐蝕一般只是用在尺寸較大的情況下刻蝕器件，例如大于3微米。

2.判斷題各向異性的刻蝕剖面是在所有方向上（橫向和垂直方向）以相同的刻蝕速率進行刻蝕。

3.判斷題光刻是集成電路制造工藝發(fā)展的驅(qū)動力。

4.判斷題投影掩膜版上的圖形是由金屬鉭所形成的。

5.判斷題有光刻膠覆蓋硅片的三個生產(chǎn)區(qū)域分別為光刻區(qū)、刻蝕區(qū)和擴散區(qū)。