判斷題各向異性的刻蝕剖面是在所有方向上（橫向和垂直方向）以相同的刻蝕速率進(jìn)行刻蝕。
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材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。
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由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。
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規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？
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MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？
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圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請(qǐng)畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。
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在晶體材料中，對(duì)于長(zhǎng)程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。
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BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動(dòng)能力。
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版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些？
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根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
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