問答題倒裝焊芯片凸點的分類、結構特點及制作方法？
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最新試題
從天然硅中獲得達到生產半導體器件所需純度的SGS要經過（）等步驟。
題型：多項選擇題
試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設計1kΩ的電阻，設電阻寬1μm，求其長。
題型：問答題
材料根據(jù)流經材電流的不同可分為三類（）。
題型：多項選擇題
什么是MOS器件的體效應？
題型：問答題
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。
題型：問答題
說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。
題型：問答題
由于襯底材料的緣故會自動產生電容，這種電容稱為（）。
題型：單項選擇題
硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產生的（）材料等。
題型：多項選擇題
MOS場效應管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。
題型：多項選擇題
設計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。
題型：問答題