最新試題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
題型:單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是()
題型:單項選擇題
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
題型:單項選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
題型:單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為()
題型:單項選擇題
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
題型:單項選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
題型:單項選擇題
PN結(jié)的基本特性是()
題型:單項選擇題