填空題純鐵的熔點為1538度，則其再結(jié)晶溫度為（），而其再結(jié)晶退火溫度為（）。
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在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
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下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
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最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
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鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
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一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
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可用作硅片的研磨材料是（）
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PN結(jié)的基本特性是（）
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如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項選擇題