A.外墻轉(zhuǎn)角
B.樓梯間四角
C.縱橫墻交接處
D.窗間墻
E.離墻角400mm處
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A、使用手持應變儀或千分表在腳標上測量砌體變形的初讀數(shù)時,應測量3次,并應取其平均值
B、開槽時不應操作測點部位的墻體及變形測量腳標
C、槽的四周應清理平整,并應除去灰渣
D、不用待讀數(shù)穩(wěn)定后再進行下一步測試工作
A、未能取得同條件養(yǎng)護試件強度
B、同條件養(yǎng)護試件強度被判為不合格
C、現(xiàn)場混凝土結(jié)構(gòu)構(gòu)件未按規(guī)定養(yǎng)護
D、鋼筋保護層厚度不滿足要求
A.在選擇切割線時,宜選取豎向灰縫上、下對齊的部位
B.應在擬切制試件上、下兩端各鉆2孔,并應將擬切制試件捆綁牢固
C.應將切割機的鋸片(鋸條)對準切割線,并垂直于墻面,然后應啟動切割機,并應在磚墻上切出兩條豎縫
D.切割過程中,切割機不得偏轉(zhuǎn)和移位,并應使鋸片(鋸條)處于連續(xù)水冷卻狀態(tài)
E.應在擬切制試件上、下兩端各鉆4孔,并應將擬切制試件捆綁牢固
A.機架應有足夠的強度、剛度、穩(wěn)定性
B.切割機應操作靈活,并應固定和移動方便
C.切割機的鋸切深度不應小于240mm
D.切割機宜配備水冷卻系統(tǒng)
E.切割機的鋸切深度不應小于370mm
A.扁頂法
B.回彈法
C.原位軸壓法
D.筒壓法
E.切制抗壓試件法
最新試題
可用作硅片的研磨材料是()
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
改良西門子法的顯著特點不包括()
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。