A.在選擇切割線時(shí)，宜選取豎向灰縫上、下對齊的部位
B.應(yīng)在擬切制試件上、下兩端各鉆2孔，并應(yīng)將擬切制試件捆綁牢固
C.應(yīng)將切割機(jī)的鋸片（鋸條）對準(zhǔn)切割線，并垂直于墻面，然后應(yīng)啟動切割機(jī)，并應(yīng)在磚墻上切出兩條豎縫
D.切割過程中，切割機(jī)不得偏轉(zhuǎn)和移位，并應(yīng)使鋸片（鋸條）處于連續(xù)水冷卻狀態(tài)
E.應(yīng)在擬切制試件上、下兩端各鉆4孔，并應(yīng)將擬切制試件捆綁牢固
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.機(jī)架應(yīng)有足夠的強(qiáng)度、剛度、穩(wěn)定性
B.切割機(jī)應(yīng)操作靈活，并應(yīng)固定和移動方便
C.切割機(jī)的鋸切深度不應(yīng)小于240mm
D.切割機(jī)宜配備水冷卻系統(tǒng)
E.切割機(jī)的鋸切深度不應(yīng)小于370mm
A.扁頂法
B.回彈法
C.原位軸壓法
D.筒壓法
E.切制抗壓試件法
A、《砌體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)規(guī)范》
B、《砌體結(jié)構(gòu)工程施工質(zhì)量驗(yàn)收規(guī)范》
C、《建筑工程施工質(zhì)量驗(yàn)收統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)》
D、《砌體基本力學(xué)性能試驗(yàn)方法標(biāo)準(zhǔn)》
E、《砌體工程現(xiàn)場檢測技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)》
A、單塊
B、雙塊
C、半塊
D、整體
A、混凝土和砂漿配合比通知單
B、混凝土和砂漿試件抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)報(bào)告單
C、各檢驗(yàn)批的主控項(xiàng)目、一般項(xiàng)目的驗(yàn)收記錄
D、施工記錄
E、施工圖紙
最新試題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
硅片拋光在原理上不可分為（）
下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）