多項(xiàng)選擇題原位單剪法檢測(cè)時(shí)，測(cè)試部位宜選在（）或范圍內(nèi)，試件具體尺寸應(yīng)符合標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定。

A．窗洞口
B．后砌窗下墻處
C．其他洞口下三皮磚
D．離樓面層近


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1.多項(xiàng)選擇題以下哪些符合切制試件法的測(cè)試步驟（）。

A.試件運(yùn)至試驗(yàn)室后，應(yīng)將試件上下表面大致修理平整
B.應(yīng)在預(yù)先找平的鋼墊上坐漿，然后應(yīng)將試件放在鋼墊板上
C.試件頂面應(yīng)用1：3水泥砂漿找平
D.試件頂面應(yīng)用1：1.5水泥砂漿找平
E.測(cè)量試件受壓變形值時(shí)，應(yīng)在寬側(cè)面上粘貼安裝百分表的表座

2.多項(xiàng)選擇題芯柱的作用是（）。

A.抗震設(shè)防
B.加強(qiáng)房屋結(jié)構(gòu)延性
C.加強(qiáng)房屋耐久性
D.加強(qiáng)房屋整體性
E.傳遞大梁傳來(lái)的荷載

3.多項(xiàng)選擇題扁頂法測(cè)試砌體受壓彈性模量時(shí)，下列要求正確的是（）。

A.應(yīng)在槽間砌體兩側(cè)各粘貼一對(duì)變形測(cè)量腳標(biāo)，腳標(biāo)應(yīng)位于槽間砌體的中部
B、普通磚砌體腳標(biāo)之間的距離應(yīng)相隔4條水平灰縫，宜取250mm
C、普通磚砌體腳標(biāo)之間的距離應(yīng)相隔3條水平灰縫，宜取250mm
D、多孔磚砌體腳標(biāo)之間的距離應(yīng)相隔3條水平灰縫，宜取270mm~300mm
E、測(cè)試前應(yīng)記錄標(biāo)距值，并應(yīng)精確至0.1mm

4.多項(xiàng)選擇題以下哪些是切制試件法的測(cè)試步驟（）

A.應(yīng)鑿掉切制試件頂部一皮磚
B.應(yīng)鑿掉切制試件頂部三皮磚
C.應(yīng)適當(dāng)鑿取試件底部砂漿，并應(yīng)伸進(jìn)撬棍，應(yīng)將水平灰縫撬松動(dòng)，然后應(yīng)小心抬出試件
D.試件搬運(yùn)過(guò)程中，應(yīng)防止碰撞，并應(yīng)采取減小振動(dòng)的措施
E.需要長(zhǎng)距離運(yùn)輸試件時(shí)，宜用草繩等材料緊密捆綁試件

5.多項(xiàng)選擇題對(duì)于一般的小型砌塊房屋，芯柱宜設(shè)置在（）。

A.外墻轉(zhuǎn)角
B.樓梯間四角
C.縱橫墻交接處
D.窗間墻
E.離墻角400mm處

最新試題

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

下列是晶體的是（）。 

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

可用作硅片的研磨材料是（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見(jiàn)的是少子陷阱。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。  

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題