A、水泥
B、鈣質(zhì)消碳粉
C、砂
D、摻合料及外加劑
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A、稠度
B、分層度
C、試配抗壓強(qiáng)度
D、泌水
A、屈服強(qiáng)度
B、極限抗拉強(qiáng)度
C、伸長率
D、冷彎性能
E、抗壓強(qiáng)度
A、塊體與砂漿的強(qiáng)度等級
B、砌塊的尺寸和形狀
C、砌體的外觀
D、砂漿的流動性、保水性及彈性模量的影響
E、砌筑質(zhì)量與灰縫的厚度
A、高強(qiáng)度
B、低收縮
C、慢硬、晚強(qiáng)
D、除變小
A.試件兩端的灰縫應(yīng)清理干凈
B.開鑿清理過程中,嚴(yán)禁擾動試件
C.發(fā)現(xiàn)被推磚塊有明顯缺棱掉角或上、下灰縫有松動現(xiàn)象時,應(yīng)舍去該試件
D.被推磚的承壓面應(yīng)平整,不平時應(yīng)用扁砂輪等工具磨平
最新試題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
可用作硅片的研磨材料是()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
改良西門子法的顯著特點不包括()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。