A.試件兩端的灰縫應(yīng)清理干凈
B.開鑿清理過程中,嚴(yán)禁擾動(dòng)試件
C.發(fā)現(xiàn)被推磚塊有明顯缺棱掉角或上、下灰縫有松動(dòng)現(xiàn)象時(shí),應(yīng)舍去該試件
D.被推磚的承壓面應(yīng)平整,不平時(shí)應(yīng)用扁砂輪等工具磨平
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A.門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
B.后補(bǔ)的施工洞口和經(jīng)修補(bǔ)的砌體
C.獨(dú)立磚柱
D.完整墻體中部
A.洞口側(cè)邊距丁字相交的墻角不小于200mm
B.洞口凈寬度不應(yīng)超過lm
C.洞口頂宜設(shè)置過梁
D.洞口側(cè)邊設(shè)置拉結(jié)筋
E.在抗震設(shè)防9度的地區(qū),必須與設(shè)計(jì)協(xié)商
A.測(cè)區(qū)應(yīng)隨機(jī)布置n個(gè)測(cè)點(diǎn),對(duì)原位單磚雙剪法,在墻體兩面的測(cè)點(diǎn)數(shù)量宜接近或相等
B.同一墻體的各測(cè)點(diǎn)之間,水平方向凈距不應(yīng)小于1.5m,垂直方向凈距不應(yīng)小于0.5m,且不應(yīng)在同一水平位置或縱向位置
C.門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
D.試件兩個(gè)受剪面的水平灰縫厚度應(yīng)為8mm~12mm
A.加荷時(shí)應(yīng)勻速施加水平荷載,并應(yīng)控制試件在3min~6min內(nèi)破壞
B.當(dāng)試件沿受剪面滑動(dòng)、千斤頂開始卸荷時(shí),應(yīng)判定試件達(dá)到破壞狀態(tài)
C.應(yīng)記錄破壞荷載值,并應(yīng)結(jié)束測(cè)試
D.應(yīng)在預(yù)定剪切面(灰縫)破壞,測(cè)試有效
A.燒結(jié)普通磚
B.燒結(jié)空心磚
C.燒結(jié)多孔磚
D.灰砂磚
E.粉煤灰磚
最新試題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
PN結(jié)的基本特性是()
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
可用作硅片的研磨材料是()