A.洞口側(cè)邊距丁字相交的墻角不小于200mm
B.洞口凈寬度不應(yīng)超過lm
C.洞口頂宜設(shè)置過梁
D.洞口側(cè)邊設(shè)置拉結(jié)筋
E.在抗震設(shè)防9度的地區(qū)，必須與設(shè)計(jì)協(xié)商
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A.測(cè)區(qū)應(yīng)隨機(jī)布置n個(gè)測(cè)點(diǎn)，對(duì)原位單磚雙剪法，在墻體兩面的測(cè)點(diǎn)數(shù)量宜接近或相等
B.同一墻體的各測(cè)點(diǎn)之間，水平方向凈距不應(yīng)小于1.5m，垂直方向凈距不應(yīng)小于0.5m，且不應(yīng)在同一水平位置或縱向位置
C.門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
D.試件兩個(gè)受剪面的水平灰縫厚度應(yīng)為8mm~12mm
A.加荷時(shí)應(yīng)勻速施加水平荷載，并應(yīng)控制試件在3min~6min內(nèi)破壞
B.當(dāng)試件沿受剪面滑動(dòng)、千斤頂開始卸荷時(shí)，應(yīng)判定試件達(dá)到破壞狀態(tài)
C.應(yīng)記錄破壞荷載值，并應(yīng)結(jié)束測(cè)試
D.應(yīng)在預(yù)定剪切面（灰縫）破壞，測(cè)試有效
A.燒結(jié)普通磚
B.燒結(jié)空心磚
C.燒結(jié)多孔磚
D.灰砂磚
E.粉煤灰磚
A.500mm
B.800mm
C.1000mm
D.1100mm
E.1300mm
A.手動(dòng)油壓千斤頂
B.荷載傳感器
C.螺旋千斤頂
D.數(shù)字荷載表
最新試題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
可用作硅片的研磨材料是（）
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）