A.測區(qū)應(yīng)隨機(jī)布置n個測點(diǎn),對原位單磚雙剪法,在墻體兩面的測點(diǎn)數(shù)量宜接近或相等
B.同一墻體的各測點(diǎn)之間,水平方向凈距不應(yīng)小于1.5m,垂直方向凈距不應(yīng)小于0.5m,且不應(yīng)在同一水平位置或縱向位置
C.門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
D.試件兩個受剪面的水平灰縫厚度應(yīng)為8mm~12mm
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A.加荷時應(yīng)勻速施加水平荷載,并應(yīng)控制試件在3min~6min內(nèi)破壞
B.當(dāng)試件沿受剪面滑動、千斤頂開始卸荷時,應(yīng)判定試件達(dá)到破壞狀態(tài)
C.應(yīng)記錄破壞荷載值,并應(yīng)結(jié)束測試
D.應(yīng)在預(yù)定剪切面(灰縫)破壞,測試有效
A.燒結(jié)普通磚
B.燒結(jié)空心磚
C.燒結(jié)多孔磚
D.灰砂磚
E.粉煤灰磚
A.500mm
B.800mm
C.1000mm
D.1100mm
E.1300mm
A.手動油壓千斤頂
B.荷載傳感器
C.螺旋千斤頂
D.數(shù)字荷載表
A.摻鹽砂漿法
B.加熱法
C.紅外線法
D.暖棚法
E.凍結(jié)法
最新試題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
下列是晶體的是()。