多項選擇題砌筑磚墻時,含水率應控制在10%-15%之間的磚為()。
A.燒結普通磚
B.燒結空心磚
C.燒結多孔磚
D.灰砂磚
E.粉煤灰磚
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1.多項選擇題砌體留直槎時應設拉結筋。在抗震區(qū),槎每側伸人墻內的鋼筋長度可為()。
A.500mm
B.800mm
C.1000mm
D.1100mm
E.1300mm
2.多項選擇題原位單剪法檢測時,測試設備包括以下哪些()。
A.手動油壓千斤頂
B.荷載傳感器
C.螺旋千斤頂
D.數(shù)字荷載表
3.多項選擇題砌體工程冬期施工的常用方法有()。
A.摻鹽砂漿法
B.加熱法
C.紅外線法
D.暖棚法
E.凍結法
4.多項選擇題切制試件法的切制試件的抗壓試驗步驟,應包括試件試驗機底板上的()等檢測及測試事項。
A.對中方法
B.試件頂面找坡方法
C.加荷制度
D.裂縫觀察
E.初裂荷載及破壞荷載
5.多項選擇題原位單剪法檢測時,測試部位宜選在()或范圍內,試件具體尺寸應符合標準規(guī)定。
A.窗洞口
B.后砌窗下墻處
C.其他洞口下三皮磚
D.離樓面層近
最新試題
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
題型:單項選擇題
影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質的種類和含量;②雜質的分凝效應;③雜質的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污;⑤加入雜質量;
題型:單項選擇題
下列是晶體的是()。
題型:單項選擇題
載流子的擴散運動產生擴散電流,漂移運動產生()電流。
題型:單項選擇題
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產生().使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
題型:單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為()
題型:單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括()
題型:單項選擇題
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
題型:單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
題型:單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:單項選擇題