A.摻鹽砂漿法
B.加熱法
C.紅外線法
D.暖棚法
E.凍結(jié)法
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.對(duì)中方法
B.試件頂面找坡方法
C.加荷制度
D.裂縫觀察
E.初裂荷載及破壞荷載
A.窗洞口
B.后砌窗下墻處
C.其他洞口下三皮磚
D.離樓面層近
A.試件運(yùn)至試驗(yàn)室后,應(yīng)將試件上下表面大致修理平整
B.應(yīng)在預(yù)先找平的鋼墊上坐漿,然后應(yīng)將試件放在鋼墊板上
C.試件頂面應(yīng)用1:3水泥砂漿找平
D.試件頂面應(yīng)用1:1.5水泥砂漿找平
E.測(cè)量試件受壓變形值時(shí),應(yīng)在寬側(cè)面上粘貼安裝百分表的表座
A.抗震設(shè)防
B.加強(qiáng)房屋結(jié)構(gòu)延性
C.加強(qiáng)房屋耐久性
D.加強(qiáng)房屋整體性
E.傳遞大梁傳來(lái)的荷載
A.應(yīng)在槽間砌體兩側(cè)各粘貼一對(duì)變形測(cè)量腳標(biāo),腳標(biāo)應(yīng)位于槽間砌體的中部
B、普通磚砌體腳標(biāo)之間的距離應(yīng)相隔4條水平灰縫,宜取250mm
C、普通磚砌體腳標(biāo)之間的距離應(yīng)相隔3條水平灰縫,宜取250mm
D、多孔磚砌體腳標(biāo)之間的距離應(yīng)相隔3條水平灰縫,宜取270mm~300mm
E、測(cè)試前應(yīng)記錄標(biāo)距值,并應(yīng)精確至0.1mm
最新試題
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱(chēng)為()。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
下列是晶體的是()。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門(mén)子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
硅片拋光在原理上不可分為()