A.500mm
B.800mm
C.1000mm
D.1100mm
E.1300mm
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A.手動(dòng)油壓千斤頂
B.荷載傳感器
C.螺旋千斤頂
D.數(shù)字荷載表
A.摻鹽砂漿法
B.加熱法
C.紅外線法
D.暖棚法
E.凍結(jié)法
A.對(duì)中方法
B.試件頂面找坡方法
C.加荷制度
D.裂縫觀察
E.初裂荷載及破壞荷載
A.窗洞口
B.后砌窗下墻處
C.其他洞口下三皮磚
D.離樓面層近
A.試件運(yùn)至試驗(yàn)室后,應(yīng)將試件上下表面大致修理平整
B.應(yīng)在預(yù)先找平的鋼墊上坐漿,然后應(yīng)將試件放在鋼墊板上
C.試件頂面應(yīng)用1:3水泥砂漿找平
D.試件頂面應(yīng)用1:1.5水泥砂漿找平
E.測量試件受壓變形值時(shí),應(yīng)在寬側(cè)面上粘貼安裝百分表的表座
最新試題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢的現(xiàn)象稱()
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。