多項(xiàng)選擇題原位單剪法檢測時(shí)，加荷時(shí)以下說法正確的是（）。

A.加荷時(shí)應(yīng)勻速施加水平荷載，并應(yīng)控制試件在3min~6min內(nèi)破壞
B.當(dāng)試件沿受剪面滑動、千斤頂開始卸荷時(shí)，應(yīng)判定試件達(dá)到破壞狀態(tài)
C.應(yīng)記錄破壞荷載值，并應(yīng)結(jié)束測試
D.應(yīng)在預(yù)定剪切面（灰縫）破壞，測試有效


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1.多項(xiàng)選擇題砌筑磚墻時(shí)，含水率應(yīng)控制在10％-15％之間的磚為（）。

A.燒結(jié)普通磚
B.燒結(jié)空心磚
C.燒結(jié)多孔磚
D.灰砂磚
E.粉煤灰磚

3.多項(xiàng)選擇題原位單剪法檢測時(shí)，測試設(shè)備包括以下哪些（）。

A.手動油壓千斤頂
B.荷載傳感器
C.螺旋千斤頂
D.數(shù)字荷載表

4.多項(xiàng)選擇題砌體工程冬期施工的常用方法有（）。

A.摻鹽砂漿法
B.加熱法
C.紅外線法
D.暖棚法
E.凍結(jié)法

5.多項(xiàng)選擇題切制試件法的切制試件的抗壓試驗(yàn)步驟，應(yīng)包括試件試驗(yàn)機(jī)底板上的（）等檢測及測試事項(xiàng)。

A.對中方法
B.試件頂面找坡方法
C.加荷制度
D.裂縫觀察
E.初裂荷載及破壞荷載

最新試題

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

題型：單項(xiàng)選擇題

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

題型：單項(xiàng)選擇題

下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

題型：單項(xiàng)選擇題

下列是晶體的是（）。 

題型：單項(xiàng)選擇題

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

題型：單項(xiàng)選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

題型：單項(xiàng)選擇題

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

題型：單項(xiàng)選擇題

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

題型：單項(xiàng)選擇題

可用作硅片的研磨材料是（）

題型：單項(xiàng)選擇題

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

題型：單項(xiàng)選擇題