A、屈服強(qiáng)度
B、極限抗拉強(qiáng)度
C、伸長率
D、冷彎性能
E、抗壓強(qiáng)度
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A、塊體與砂漿的強(qiáng)度等級
B、砌塊的尺寸和形狀
C、砌體的外觀
D、砂漿的流動性、保水性及彈性模量的影響
E、砌筑質(zhì)量與灰縫的厚度
A、高強(qiáng)度
B、低收縮
C、慢硬、晚強(qiáng)
D、除變小
A.試件兩端的灰縫應(yīng)清理干凈
B.開鑿清理過程中,嚴(yán)禁擾動試件
C.發(fā)現(xiàn)被推磚塊有明顯缺棱掉角或上、下灰縫有松動現(xiàn)象時,應(yīng)舍去該試件
D.被推磚的承壓面應(yīng)平整,不平時應(yīng)用扁砂輪等工具磨平
A.門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
B.后補(bǔ)的施工洞口和經(jīng)修補(bǔ)的砌體
C.獨(dú)立磚柱
D.完整墻體中部
A.洞口側(cè)邊距丁字相交的墻角不小于200mm
B.洞口凈寬度不應(yīng)超過lm
C.洞口頂宜設(shè)置過梁
D.洞口側(cè)邊設(shè)置拉結(jié)筋
E.在抗震設(shè)防9度的地區(qū),必須與設(shè)計協(xié)商
最新試題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
改良西門子法的顯著特點不包括()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
硅片拋光在原理上不可分為()
下列哪個不是單晶常用的晶向()