多項選擇題原位軸壓法有哪些限制條件()
A、槽間砌體每側(cè)的墻體寬度應(yīng)不小于1.5m;
B、同一墻體上測點數(shù)不宜多于1個,測點數(shù)量不宜太多。
C、限用于240mm磚墻。
D、限用于370mm磚墻。
E、原位軸壓法應(yīng)與其他砌筑砂漿強(qiáng)度檢測或砌體抗剪強(qiáng)度檢測一同使用。
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1.多項選擇題磚砌體基礎(chǔ)頂面和樓面標(biāo)高允許偏差為()。
A、-15
B、-10
C、+10
D、+15
2.多項選擇題專用小砌塊灌孔混凝土坍落度不小于180mm,拌和物()故宜采用。
A、不離析
B、不泌水
C、強(qiáng)度高
D、施工性能好
3.多項選擇題干拌砂漿是由()按一定比例混合而成的混合物。
A、水泥
B、鈣質(zhì)消碳粉
C、砂
D、摻合料及外加劑
4.多項選擇題砌筑砂漿()必須同時符合要求。
A、稠度
B、分層度
C、試配抗壓強(qiáng)度
D、泌水
5.多項選擇題對有明顯屈服點鋼筋的主要材料檢驗指標(biāo)有()。
A、屈服強(qiáng)度
B、極限抗拉強(qiáng)度
C、伸長率
D、冷彎性能
E、抗壓強(qiáng)度
最新試題
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
題型:單項選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
題型:單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
題型:單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
題型:單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
題型:單項選擇題
下列是晶體的是()。
題型:單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
題型:單項選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為()
題型:單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:單項選擇題