A、初裂荷載值
B、初裂抗壓值
C、破壞荷載值
D、破壞荷載值
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、觀測(cè)破壞現(xiàn)象
B、防止出現(xiàn)局壓
C、注意測(cè)點(diǎn)位置
D、偏心
A、手動(dòng)油泵
B、扁式千斤頂
C、百分表
D、反力平衡架
A、挑梁下
B、應(yīng)力集中部位
C、墻梁的墻體計(jì)算高度范圍內(nèi)
D、哪里都可以
A、保證有足夠的約束墻體
B、防止出現(xiàn)破壞
C、影響測(cè)試結(jié)果
D、保證方便
A、靜力安全鑒定及危房鑒定
B、抗震鑒定
C、大修后的可靠性鑒定
D、房屋改變用途、改建、加層或擴(kuò)建前的專門鑒定
最新試題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法