A、挑梁下
B、應(yīng)力集中部位
C、墻梁的墻體計(jì)算高度范圍內(nèi)
D、哪里都可以
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A、保證有足夠的約束墻體
B、防止出現(xiàn)破壞
C、影響測(cè)試結(jié)果
D、保證方便
A、靜力安全鑒定及危房鑒定
B、抗震鑒定
C、大修后的可靠性鑒定
D、房屋改變用途、改建、加層或擴(kuò)建前的專門鑒定
A、槽間砌體每側(cè)的墻體寬度應(yīng)不小于1.5m；
B、同一墻體上測(cè)點(diǎn)數(shù)不宜多于1個(gè)，測(cè)點(diǎn)數(shù)量不宜太多。
C、限用于240mm磚墻。
D、限用于370mm磚墻。
E、原位軸壓法應(yīng)與其他砌筑砂漿強(qiáng)度檢測(cè)或砌體抗剪強(qiáng)度檢測(cè)一同使用。
A、-15
B、-10
C、+10
D、+15
A、不離析
B、不泌水
C、強(qiáng)度高
D、施工性能好
最新試題
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
PN結(jié)的基本特性是（）
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）