A、靜力安全鑒定及危房鑒定
B、抗震鑒定
C、大修后的可靠性鑒定
D、房屋改變用途、改建、加層或擴建前的專門鑒定
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A、槽間砌體每側(cè)的墻體寬度應不小于1.5m;
B、同一墻體上測點數(shù)不宜多于1個,測點數(shù)量不宜太多。
C、限用于240mm磚墻。
D、限用于370mm磚墻。
E、原位軸壓法應與其他砌筑砂漿強度檢測或砌體抗剪強度檢測一同使用。
A、-15
B、-10
C、+10
D、+15
A、不離析
B、不泌水
C、強度高
D、施工性能好
A、水泥
B、鈣質(zhì)消碳粉
C、砂
D、摻合料及外加劑
A、稠度
B、分層度
C、試配抗壓強度
D、泌水
最新試題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
PN結(jié)的基本特性是()
可用作硅片的研磨材料是()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應;③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
改良西門子法的顯著特點不包括()
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()