問答題缺陷顯示的意義？
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最新試題
MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型：判斷題
氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。
題型：判斷題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結是（）結，處于反偏的PN結是（）結。
題型：填空題
雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。
題型：填空題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型：判斷題
P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
題型：判斷題
絕緣層材料質量影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質和缺陷。
題型：判斷題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。
題型：判斷題