單項(xiàng)選擇題通過(guò)（）改變驅(qū)動(dòng)力場(chǎng)，借以控制生長(zhǎng)系統(tǒng)中的成核率，這是晶體生長(zhǎng)工藝中經(jīng)常使用的方法。

A、溫度場(chǎng)
B、磁場(chǎng)
C、重力場(chǎng)
D、電場(chǎng)


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1.單項(xiàng)選擇題硅的晶格結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu)分別是（）.

A.金剛石型和直接禁帶型
B.閃鋅礦型和直接禁帶型
C.金剛石型和間接禁帶型
D.閃鋅礦型和間接禁帶型