最新試題
柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。
題型：判斷題
p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。
題型：判斷題
雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。
題型：填空題
理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。
題型：判斷題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型：判斷題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。
題型：判斷題
MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。
題型：判斷題
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。
題型：判斷題