單項(xiàng)選擇題其中不屬于多晶硅的生產(chǎn)方法的是().
A.SiCl4法
B.硅烷法
C.直拉法
D.西門(mén)子改良法
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題參雜硼元素的半導(dǎo)體是().
A.p型半導(dǎo)體
B.本征半導(dǎo)體
C.N型半導(dǎo)體
D.pn結(jié)
2.單項(xiàng)選擇題下列不屬于三氯氫硅性質(zhì)的是()。
A、無(wú)色透明
B、易燃易爆
C、不易揮發(fā)和水解
D、有刺激性氣味
3.單項(xiàng)選擇題下列不屬于工業(yè)吸附要求的是()。
A.具有較大的內(nèi)表面,吸附容量大
B.具有一定的機(jī)械強(qiáng)度,耐熱沖擊,耐腐蝕
C.不易得,昂貴
D.容易再生
4.單項(xiàng)選擇題下列與硼氧復(fù)合體缺陷無(wú)關(guān)的是()。
A、氧
B、硼
C、溫度
D、濕度
5.單項(xiàng)選擇題盡量提高晶轉(zhuǎn)可以改善晶體中雜質(zhì)分布的徑向均勻性,如果晶轉(zhuǎn)過(guò)高,會(huì)導(dǎo)致固液界面的形狀()。
A、形狀太凹
B、形狀太凸
C、過(guò)于平整
D、無(wú)變化
最新試題
實(shí)際的MOS管,絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無(wú)限大的絕緣體,其中沒(méi)有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型:判斷題
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型:判斷題
柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會(huì)因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型:判斷題
N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
題型:判斷題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型:判斷題
半導(dǎo)體的主要特征有()()()和()。
題型:填空題
當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時(shí),漏極將失去對(duì)漏源電流的控制能力。
題型:判斷題
半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是()年。
題型:填空題
p型襯底材料的MOS管,其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大,閾值電壓隨之增大。
題型:判斷題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無(wú)關(guān)。
題型:判斷題