單項(xiàng)選擇題參雜硼元素的半導(dǎo)體是().
A.p型半導(dǎo)體
B.本征半導(dǎo)體
C.N型半導(dǎo)體
D.pn結(jié)
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1.單項(xiàng)選擇題下列不屬于三氯氫硅性質(zhì)的是()。
A、無(wú)色透明
B、易燃易爆
C、不易揮發(fā)和水解
D、有刺激性氣味
2.單項(xiàng)選擇題下列不屬于工業(yè)吸附要求的是()。
A.具有較大的內(nèi)表面,吸附容量大
B.具有一定的機(jī)械強(qiáng)度,耐熱沖擊,耐腐蝕
C.不易得,昂貴
D.容易再生
3.單項(xiàng)選擇題下列與硼氧復(fù)合體缺陷無(wú)關(guān)的是()。
A、氧
B、硼
C、溫度
D、濕度
4.單項(xiàng)選擇題盡量提高晶轉(zhuǎn)可以改善晶體中雜質(zhì)分布的徑向均勻性,如果晶轉(zhuǎn)過(guò)高,會(huì)導(dǎo)致固液界面的形狀()。
A、形狀太凹
B、形狀太凸
C、過(guò)于平整
D、無(wú)變化
5.單項(xiàng)選擇題通過(guò)()改變驅(qū)動(dòng)力場(chǎng),借以控制生長(zhǎng)系統(tǒng)中的成核率,這是晶體生長(zhǎng)工藝中經(jīng)常使用的方法。
A、溫度場(chǎng)
B、磁場(chǎng)
C、重力場(chǎng)
D、電場(chǎng)
最新試題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型:判斷題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
題型:判斷題
理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上,柵極分壓占比小于50%。
題型:判斷題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管,漏極將失去對(duì)溝道電流的控制能力。
題型:判斷題
雙極型晶體管使用中,電流最大的極是(),電流最小的極是()。
題型:填空題
氧化鋁(Al2O3)的介電常數(shù)一般低于氮化硅(Si3N4)的介電常數(shù)。
題型:判斷題
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型:判斷題
P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。
題型:判斷題
“合金型晶體管”,“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中,目前生產(chǎn)最主要的一種是()。
題型:填空題