單項選擇題在晶體凝固過程中,存在溫度梯度的是().
A.上部和邊緣部分
B.中部和邊緣部分
C.上部和底部
D.底部和邊緣部分
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1.單項選擇題硅元素的原子序數是().
A.13
B.14
C.15
D.16
2.單項選擇題以下哪一種屬于金剛石結構().
A.Si
B.Cu
C.Fe
D.Al
3.單項選擇題半導體工業(yè)所用的硅單晶()是用CZ法生長的。
A.70%
B.80%
C.90%
D.60%
4.單項選擇題下列屬于單晶硅片的一般形狀().
A.方形
B.三角形
C.橢圓形
D.梯形
5.單項選擇題下列不屬于非晶硅優(yōu)點的是().
A.制備方法簡單
B.工藝成本低
C.制備溫度高
D.可大面積制備
最新試題
半導體具有的負的溫度系數的發(fā)現年份是()年。
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MOS管可以分為4類型,其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。
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晶體管的全部應用模式中,共有()種放大倍數。
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MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質濃度無關。
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N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
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處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管,柵極將失去對漏源電流的控制作用。
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P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
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MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。
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晶體管正常使用過程中,處于正偏的PN結是()結,處于反偏的PN結是()結。
題型:填空題