單項選擇題半導體工業(yè)所用的硅單晶()是用CZ法生長的。
A.70%
B.80%
C.90%
D.60%
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1.單項選擇題下列屬于單晶硅片的一般形狀().
A.方形
B.三角形
C.橢圓形
D.梯形
2.單項選擇題下列不屬于非晶硅優(yōu)點的是().
A.制備方法簡單
B.工藝成本低
C.制備溫度高
D.可大面積制備
3.單項選擇題其中不屬于多晶硅的生產(chǎn)方法的是().
A.SiCl4法
B.硅烷法
C.直拉法
D.西門子改良法
4.單項選擇題參雜硼元素的半導體是().
A.p型半導體
B.本征半導體
C.N型半導體
D.pn結(jié)
5.單項選擇題下列不屬于三氯氫硅性質(zhì)的是()。
A、無色透明
B、易燃易爆
C、不易揮發(fā)和水解
D、有刺激性氣味
最新試題
雙極型晶體管內(nèi)部有()個極,()個區(qū),()個PN結(jié)。
題型:填空題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管,柵極將失去對漏源電流的控制作用。
題型:判斷題
p型襯底材料的MOS管,其半導體的摻雜濃度增大,閾值電壓隨之增大。
題型:判斷題
第一塊集成電路發(fā)明于()年。
題型:填空題
半導體的主要特征有()()()和()。
題型:填空題
理想的MOS管,柵極加上偏壓之后,溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型:判斷題
當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時,漏極將失去對漏源電流的控制能力。
題型:判斷題
MOS管可以分為4類型,其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。
題型:判斷題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。
題型:判斷題