單項選擇題下列不屬于非晶硅優(yōu)點的是().
A.制備方法簡單
B.工藝成本低
C.制備溫度高
D.可大面積制備
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1.單項選擇題其中不屬于多晶硅的生產方法的是().
A.SiCl4法
B.硅烷法
C.直拉法
D.西門子改良法
2.單項選擇題參雜硼元素的半導體是().
A.p型半導體
B.本征半導體
C.N型半導體
D.pn結
3.單項選擇題下列不屬于三氯氫硅性質的是()。
A、無色透明
B、易燃易爆
C、不易揮發(fā)和水解
D、有刺激性氣味
4.單項選擇題下列不屬于工業(yè)吸附要求的是()。
A.具有較大的內表面,吸附容量大
B.具有一定的機械強度,耐熱沖擊,耐腐蝕
C.不易得,昂貴
D.容易再生
5.單項選擇題下列與硼氧復合體缺陷無關的是()。
A、氧
B、硼
C、溫度
D、濕度
最新試題
()是最早實現提純和完美晶體生長的半導體材料。
題型:填空題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現強反型時的最小柵極電壓,即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。
題型:判斷題
理想的MOS管,柵極加上偏壓之后,溝道表面將產生一定厚度的耗盡層。
題型:判斷題
雙極型晶體管使用中,電流最大的極是(),電流最小的極是()。
題型:填空題
理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上,柵極分壓占比小于50%。
題型:判斷題
絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產生影響。
題型:判斷題
第一塊集成電路發(fā)明于()年。
題型:填空題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管,柵極將失去對漏源電流的控制作用。
題型:判斷題
1947年,()等人制造了第一個晶體管。
題型:填空題
p型襯底材料的MOS管,其半導體的摻雜濃度增大,閾值電壓隨之增大。
題型:判斷題