單項(xiàng)選擇題列多晶硅生長過程中需要通入氬氣做保護(hù)氣的是().
A.加熱
B.化料
C.晶體生長
D.冷卻
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1.單項(xiàng)選擇題在晶體凝固過程中,存在溫度梯度的是().
A.上部和邊緣部分
B.中部和邊緣部分
C.上部和底部
D.底部和邊緣部分
2.單項(xiàng)選擇題硅元素的原子序數(shù)是().
A.13
B.14
C.15
D.16
3.單項(xiàng)選擇題以下哪一種屬于金剛石結(jié)構(gòu)().
A.Si
B.Cu
C.Fe
D.Al
4.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體工業(yè)所用的硅單晶()是用CZ法生長的。
A.70%
B.80%
C.90%
D.60%
5.單項(xiàng)選擇題下列屬于單晶硅片的一般形狀().
A.方形
B.三角形
C.橢圓形
D.梯形
最新試題
半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是()年。
題型:填空題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管,柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。
題型:判斷題
1947年,()等人制造了第一個(gè)晶體管。
題型:填空題
MOS管可以分為4類型,其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。
題型:判斷題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型:判斷題
p型襯底材料的MOS管,其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大,閾值電壓隨之增大。
題型:判斷題
理想的MOS管,柵極加上偏壓之后,溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型:判斷題
第一塊集成電路發(fā)明于()年。
題型:填空題
柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會(huì)因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型:判斷題
氧化鋁(Al2O3)的介電常數(shù)一般低于氮化硅(Si3N4)的介電常數(shù)。
題型:判斷題