問答題半導體工藝技術的主要摻雜工藝包括哪兩種？
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MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。
題型：判斷題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型：判斷題
晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結是（）結，處于反偏的PN結是（）結。
題型：填空題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。
題型：判斷題
第一塊集成電路發(fā)明于（）年。
題型：填空題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。
題型：判斷題
氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。
題型：判斷題
雙極型晶體管內部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結。
題型：填空題