問答題Wafer的中文含義是什么？目前常用的材料有哪兩種？
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1.問答題外延工藝按方法可分為哪些？
4.單項選擇題正常凝固是最寬熔區(qū)的區(qū)域提純，在進行第一次熔化過后，能不能進入第二次提純這個階段（）.
A、能
B、不能
C、不確定
D、有時可以，有時不可以
5.單項選擇題當晶體生長的較快，內(nèi)坩堝中雜質(zhì)量變少，晶體的電阻率（）.
A.上升
B.下降
C.不變
D.不確定
最新試題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。
題型：判斷題
（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。
題型：填空題
n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。
題型：填空題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。
題型：填空題
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。
題型：判斷題
雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。
題型：填空題
P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
題型：判斷題
柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題